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該電路由兩部分組成：電容一頻率轉(zhuǎn)化電路和差頻電路。本電路采用張馳振蕩器來實現(xiàn)電容-頻率轉(zhuǎn)化。張馳振蕩器由電流源、CMOS傳輸門、施密特觸發(fā)器構(gòu)成。電路分為充電周期和放電周期。工作原理如下：假設(shè)最初Vout高電平，則開關(guān)S11閉合，S12斷開，電路進入充電周期，電流源I對Cs進行充電，當Cs上的電壓Vcs充電至施密特觸發(fā)器高閾值電平VH時，施密特觸發(fā)器發(fā)生翻轉(zhuǎn)，Vout變?yōu)榈碗娖�，此時S11斷開，S12閉合，電路進入放電周期，電流源對Cs進行放電，當電容上電壓Vcs下降到施密特低閾值電平VL時，輸出再次翻轉(zhuǎn)，Vout變?yōu)楦唠娖�，電路又進入充電周期。如此循環(huán)，該部分電路輸出一列頻率與電容Cs相關(guān)的方波，實現(xiàn)了電容-頻率的轉(zhuǎn)化。為了實現(xiàn)差頻功能，引進了參考電容Cr，并通過相同的G-f電路完成參考電容到參考頻率fs的轉(zhuǎn)化。D觸發(fā)器則用于實現(xiàn)信號頻率fs與參考頻率fr的差值，實現(xiàn)差頻電路功能。